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“氮化镓GaN？”三人闻言，眼前一亮，这是个好东西，还有砷化镓，锑化铟···搞半导体的好材料。

    “对，我们用氮化镓作雷达的微波元件材料，同时以碳化硅SiC衬，氮化镓GaN薄膜外延，衬底碳化硅是由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，它具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高···”

    “氮化镓具有极高的热导率和电子迁移率，能够在高功率和高温环境下稳定...    目标编号035

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